• 工艺技术
掺砷 N+ 埋层、深磷集电区接触、对通隔离、基区注入
浓硼扩散、发射区磷扩散、 Al/Si(1%) 金属配线
SiN/PSG 钝化膜
• 设计规则
特征尺寸： 4.0 × 6.0μm2
9 ～ 13 层掩膜版
• 器件规格
元件
参数
规格
晶体管
工作电压
10 ～ 60V
NPN Hfe
60 ～ 250
NPN f T
700MHz
PNP Hfe
10 ～ 50
PNP f T
10MHz
